日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所（產(chǎn)綜研）與本田技術(shù)研究所合作，制造了 p 型金剛石 MOSFET（金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），并首次成功驗證了其安培級的高速開關(guān)動作。未來，該公司將把它搭載于下一代移動出行的動力單元中，并進(jìn)行運(yùn)行驗證，以期在社會中得到實施。

2025 年 3 月，產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所（產(chǎn)綜研）先進(jìn)功率電子學(xué)研究中心新功能器件團(tuán)隊的高級主任研究員梅澤仁、研究團(tuán)隊負(fù)責(zé)人牧野俊晴、研究中心副主任竹內(nèi)大宣布，他們通過與本田技術(shù)研究所的共同研究合作，試制了 p 型金剛石 MOSFET，并首次成功驗證了其安培級的高速開關(guān)操作。未來，該公司計劃將該技術(shù)搭載于下一代移動動力裝置中，并進(jìn)行運(yùn)行驗證，以期在社會中得以實施。

被稱為終極半導(dǎo)體的金剛石半導(dǎo)體，具有能夠?qū)崿F(xiàn)高能源效率等優(yōu)異特性。因此，它在電動汽車、可再生能源等各個領(lǐng)域的應(yīng)用備受期待。不過，要將金剛石用作半導(dǎo)體材料，存在晶體生長和加工困難的課題。此外，為了實現(xiàn)實用化，需要在處理安培級大電流的同時，能夠?qū)崿F(xiàn)高速的開關(guān)動作。

為了實現(xiàn)大電流化，研究團(tuán)隊使用了比以往尺寸更大的基板，并開發(fā)了能夠?qū)崿F(xiàn)并聯(lián)工作的布線技術(shù)。具體而言，在半英寸尺寸的單晶金剛石基板上，利用氫終端的二維空穴載流子氣，制作了多個 p 型功率 MOSFET，并進(jìn)行布線以實現(xiàn)并聯(lián)操作。

對試制的金剛石 MOSFET 的特性進(jìn)行了評估。確認(rèn)柵極寬度為 1020μm 的單個元件具有優(yōu)異的工作特性，且同一基板上的元件以高良品率制作而成。

此外，對 314 個單個元件分別進(jìn)行了源極、柵極、漏極電極的并聯(lián)連接。以總柵極寬度達(dá)到約 32 厘米的方式進(jìn)行連接，并使用雙脈沖法對元件的開關(guān)速度進(jìn)行了評估。結(jié)果顯示，在驅(qū)動電流 2.5A 時，下降時間為 “19 納秒”，上升時間為 “32 納秒” 。