金剛石，有“硬度之王”的美譽，在材料科學領域占據著舉足輕重的地位。依據晶體結構差異，金剛石可細分為單晶金剛石與多晶金剛石，這兩類材料雖具備諸多共性，但微觀結構的不同致使它們在性能表現、制備手段以及應用范疇等層面呈現出顯著區(qū)別。

相同點：“硬核” 出身的天然優(yōu)勢

單晶金剛石和多晶金剛石都屬于金剛石，都具有硬度之王的特性，即使用最鋒利的鋼鐵刀具，幾乎無法留下任何痕跡。其次，兩者都擁有超高的耐磨性，在長期使用過程中，能夠保持自身形狀和性能的穩(wěn)定，不易被磨損消耗。同時都具有良好的熱導率，可以快速將熱量傳遞出去，避免因溫度過高而影響自身性能。這些共同的優(yōu)秀特質，讓它們在眾多材料中脫穎而出，成為科研和工業(yè)領域的 “香餑餑”。

單晶金剛石擁有高度規(guī)整、近乎完美的晶體結構。從原子尺度來看，它的碳原子排列極其規(guī)整，按照固定的晶體結構無限重復延伸，整個晶體內部幾乎不存在晶界，是一個完整、單一的晶體。這使得電子云分布均勻對稱，化學鍵能恒定且強大，維系著物理性質在宏觀層面的極致均一性。

多晶金剛石由許多大小不一、取向各異的小晶體（晶粒）聚集而成，這些小晶粒之間存在著晶界，由于晶界的存在，多晶金剛石的結構相對復雜，沒有單晶金剛石那樣規(guī)則和統一。

在硬度方面，雖然兩者都非常硬，但單晶金剛石由于其完美的晶體結構，在某些方向上硬度表現更為突出，摩氏硬度為10，具有極高的耐磨性，甚至可以達到多晶金剛石的數倍，堪稱 “硬度王者”。

光學性能上，單晶金剛石憑借其純凈、單一的結構，具有極高的透明度和光學均勻性，是制造高端光學器件的理想材料，比如用于制造精密的激光窗口和光學透鏡。而多晶金剛石由于晶界的存在，會對光線產生散射作用，導致其光學性能相對較差，可在部分對成本敏感、光學精度要求相對溫和的照明、顯示器件領域得到應用。

單晶金剛石：室溫下熱導率高達2000 W/(m·K)以上，能在高溫高壓環(huán)境下保持穩(wěn)定的物理和化學性質，可應用于大功率半導體散熱、激光設備溫控等領域。

多晶金剛石：熱導率雖因晶界散射有所降低，但在特定溫度區(qū)間內，晶界對聲子散射路徑的干擾可轉化為優(yōu)勢，實現對熱導率的調控，可作為半導體功率器件散熱的熱沉應用，其沉淀技術水平相對容易實現，制備成本也更具優(yōu)勢。

單晶金剛石和多晶金剛石的制備過程，就像它們選擇了不同的 “成長之路”。單晶金剛石的制備難度較大，目前主要采用高溫高壓法（HPHT）和化學氣相沉積法（CVD）。高溫高壓法是模擬天然金剛石在地球深處的生長環(huán)境，在高溫（約 1300 - 1700℃）和高壓（約 5 - 7GPa）條件下，促使碳原子重新排列結晶形成單晶金剛石?；瘜W氣相沉積法則是在高溫低壓環(huán)境下，將含有碳元素的氣體分解，使碳原子在基底上逐漸沉積生長，最終形成單晶金剛石薄膜。這兩種方法都需要精確控制各種條件，才能制備出高質量的單晶金剛石。

多晶金剛石的制備方法通過化學氣相沉積法制備多晶金剛石時，由于不需要嚴格控制晶體的單一取向，生長條件相對寬松，因此更容易實現大面積、快速生長，成本也相對較低。

碳方程50200A MPCVD設備采用915MHZ的微波頻率及50KW運行功率，該設備單爐可生產8英寸多晶產品，若用于生產單晶金剛石，單爐能夠穩(wěn)定產出多達 489 片尺寸為 7*7mm 的單晶金剛石，更大尺寸的多晶產品意味著更高的生產效率和更低的單位成本，能夠滿足客戶大規(guī)模生產的需求。同時，我們的設備在技術方面也有著諸多創(chuàng)新和突破，確保了產品的高質量和穩(wěn)定性。有效降低生產成本，提高產品的市場競爭力。

單晶金剛石：

（一）半導體領域：作為理想的襯底材料，其寬禁帶、高載流子遷移率等特性有助于晶體管、功率模塊突破高頻、高壓運行瓶頸，推動5G基站、電動汽車動力系統芯片等的革新。

（二）光學儀器制造：用于制造高精度的光學窗口、透鏡等，如紅外探測器、太空望遠鏡等，可提高設備的光線捕捉和解析能力。

（三）超精密加工：如制造切削工具，可實現對材料的高精度、高效率加工，在加工有色金屬時，表面粗糙度可達Rz0.1-Rz0.05μm，被加工工件的形狀精度控制在50nm以下。

多晶金剛石：

（一）研磨拋光：作為精密磨料，廣泛應用于藍寶石晶片、碳化硅晶片、功能陶瓷等硬脆材料的精磨和拋光，能在保證加工質量的同時提高效率。

（二）電子封裝：多晶金剛石薄膜可作為散熱基板，解決芯片發(fā)熱問題，為電子產品的輕薄化和性能提升提供支持。

（三）半導體散熱：多晶金剛石膜可作為半導體功率器件散熱的熱沉，提高器件的散熱性能，保證其穩(wěn)定運行。