MPCVD技術(shù)的雛形可追溯至20世紀80年代。早期的石英管式設(shè)備因功率低、沉積效率差，僅能生長微米級薄膜。科研人員通過不斷改進設(shè)備結(jié)構(gòu)，逐步演變?yōu)槭㈢娬质?、圓柱形諧振腔式，最終形成環(huán)形天線式設(shè)計。這一演變的核心在于提升微波輸入功率，以激發(fā)更高密度的等離子體。例如，現(xiàn)代設(shè)備的輸入功率已從數(shù)百瓦躍升至數(shù)千瓦，單晶金剛石的沉積速率也大幅提高。

兩種微波頻率：915MHz與2.45GHz

根據(jù)國際工業(yè)法規(guī)，MPCVD設(shè)備可使用兩種微波頻率，915MHz與2.45GHz，微波頻率的選擇直接影響金剛石的生長效率與成本。以上兩種頻率中：

2.45GHz：設(shè)備普及率高，易于操作，但等離子體球較小，適合小尺寸單晶生長；

915MHz：波長更長，等離子體球體積擴大至2.45GHz的2.67倍，效率更高，沉積面積更大，更適合工業(yè)級多晶金剛石生長。

珠寶首飾

MPCVD技術(shù)用于生長高品質(zhì)單晶金剛石，這些金剛石被用作珠寶首飾，具有優(yōu)異的色澤和純凈度，備受消費者青睞。

工具領(lǐng)域的應(yīng)用

MPCVD技術(shù)在工具領(lǐng)域的應(yīng)用也非常廣泛。例如，在硬質(zhì)合金刀具表面沉積一層金剛石薄膜，不僅極大地延長了刀具的使用壽命，加工質(zhì)量也顯著提高。此外，MPCVD技術(shù)還可以用于制備金剛石厚膜刀具，逐步取代傳統(tǒng)的PCD金剛石刀具。

大功率器件中的應(yīng)用

金剛石材料被稱為第四代散熱材料，對于大功率電子器件、半導(dǎo)體芯片等關(guān)鍵器件的散熱具有重要作用。

光學(xué)級金剛石的應(yīng)用

MPCVD技術(shù)制備的金剛石在光學(xué)領(lǐng)域也有廣泛應(yīng)用。例如，MPCVD制備的大面積金剛石單晶和多晶，可用于光學(xué)級單晶、電子級、散熱片、微波窗口、激光窗口等。

碳方程的50200A MPCVD設(shè)備在生長多晶產(chǎn)品方面優(yōu)勢顯著，設(shè)備采用915MHZ的微波頻率，單爐可生產(chǎn)8英寸多晶產(chǎn)品，若用于生產(chǎn)單晶金剛石，單爐能夠穩(wěn)定產(chǎn)出多達 489 片尺寸為 7*7mm 的單晶金剛石。設(shè)備運行功率方面，采用50KW大功率裝置，更大尺寸的多晶產(chǎn)品意味著更高的生產(chǎn)效率和更低的單位成本，能夠滿足客戶大規(guī)模生產(chǎn)的需求。同時，我們的設(shè)備在技術(shù)方面也有著諸多創(chuàng)新和突破，確保了產(chǎn)品的高質(zhì)量和穩(wěn)定性。有效降低生產(chǎn)成本，提高產(chǎn)品的市場競爭力。

碳方程10KW MPCVD設(shè)備采用最先進的CVD系統(tǒng)，具有高可靠性、穩(wěn)定運行、無人值守的安全聯(lián)鎖性能?？蓪崿F(xiàn)24 * 7的連續(xù)穩(wěn)定生產(chǎn)，故障率很低，采用高真空不銹鋼水冷卻腔體，無硅污染，這不僅增強了設(shè)備的耐用性，還顯著提高了生產(chǎn)效率。生長機臺調(diào)節(jié)范圍可達15MM，可靈活適應(yīng)各種生產(chǎn)需求。單個爐輸出多達57件（7*7mm），可生產(chǎn)多晶大小達3inc,所生產(chǎn)的產(chǎn)品凈度等級可達到VVS級。